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探測(cè)器產(chǎn)品及廠家

地下金屬探測(cè)器MD-5008
地下金屬探測(cè)器md-5008
更新時(shí)間:2025-06-12
手持式金屬探測(cè)器GP-3003B1
手持式金屬探測(cè)器gp-3003b1
更新時(shí)間:2025-06-12
激光遙控&探測(cè)器LS701R
激光遙控&探測(cè)器ls701r
更新時(shí)間:2025-06-12
激光遙控&探測(cè)器LS705R
激光遙控&探測(cè)器ls705r
更新時(shí)間:2025-06-12
供應(yīng)：`megafabs`mega-fabs` servo amplifier驅(qū)動(dòng)器md-36-s2 /→d1-36-s2
更新時(shí)間:2025-06-11
便攜式氣體探測(cè)器報(bào)警器
北京、沈陽、濟(jì)南、成都、西安、廣州、武漢、青島專區(qū)saf200型便攜式單一氣體探測(cè)器(以下簡(jiǎn)稱探測(cè)器)，是一種可連續(xù)檢測(cè)可燃?xì)怏w濃度或者有毒氣體濃度的本質(zhì)安全型設(shè)備。
更新時(shí)間:2025-06-11
氣體探測(cè)器;氣體報(bào)警器;氣體探頭;氣體變送器
氣體探測(cè)器;氣體報(bào)警器;氣體探頭;氣體變送器
更新時(shí)間:2025-06-11
氣體探測(cè)器報(bào)警器變送器探頭
氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭
更新時(shí)間:2025-06-11
氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭
北京、沈陽、濟(jì)南、成都、西安、廣州、武漢、青島專區(qū)氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭
更新時(shí)間:2025-06-11
美國TAC STICK 漏電探測(cè)儀
美國tac stick 漏電探測(cè)儀品牌：willburt產(chǎn)品介紹tac stick 漏電探測(cè)儀該測(cè)試儀具有高感和低感兩種測(cè)試方式選擇。高感和低感可測(cè)試任何方向的交流電,高感設(shè)定用于遠(yuǎn)距離測(cè)量，低感設(shè)定用于近距離測(cè)量，兩種設(shè)定都能找到出現(xiàn)漏電的位置,可以在15尺內(nèi)測(cè)量到任何方向的漏電源頭。該棒長(zhǎng)2
更新時(shí)間:2025-06-11
超快亞太赫茲探測(cè)器 響應(yīng)時(shí)間1μs 光譜范圍50GHz-0.7THz
terasense的超快探測(cè)器ultrafast，通過直接觀察其脈沖響應(yīng)函數(shù)證實(shí)響應(yīng)時(shí)間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3thz的，200nj、1ps的激光脈沖激發(fā)該探測(cè)器，其響應(yīng)由高速示波器記錄。響應(yīng)功能顯示了由示波器4 ghz帶寬限制的150 ps的上升和下降時(shí)間。測(cè)量的短響應(yīng)時(shí)間使得我們的探測(cè)器可以直接研究thz科學(xué)和電信中的快速瞬態(tài)過程。
更新時(shí)間:2025-06-10
堿液型高純度氫氣發(fā)生器
堿液型高純度氫氣發(fā)生器 堿液型高純度氫氣發(fā)生器 sph-2001. 體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，重量輕，有效節(jié)省空間。
更新時(shí)間:2025-06-10
1064nm四象限Si光電探測(cè)器 光敏面直徑16mm 直流響應(yīng)度0.3A/W
光敏面直徑 16mm；直流響應(yīng)度 0.3a/w； 光敏材料 si； 擊穿電壓 200v
更新時(shí)間:2025-06-10
8mm 大光敏面硅Si硅光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm
8mm光敏面直徑，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜25ns，to8封裝
更新時(shí)間:2025-06-10
6mm 大光敏面硅Si光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm
6mm光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns,to8封裝
更新時(shí)間:2025-06-10
法蘭式Si光電探測(cè)器 光敏面積4mm 響應(yīng)波段400-1100nm
4mm光敏面，法蘭式結(jié)構(gòu)，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns，to8封裝
更新時(shí)間:2025-06-10
法蘭式SI光電探測(cè)器 光敏面積200um 響應(yīng)波段400-1100nm
200um光敏面直徑,法蘭式結(jié)構(gòu)，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns
更新時(shí)間:2025-06-10
光纖耦合式Si光電探測(cè)器 光敏面直徑200um 響應(yīng)速度＜2ns
200um光敏面直徑,單模光纖耦合，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns，fc/apc接頭
更新時(shí)間:2025-06-10
2mm SI光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm 響應(yīng)速度＜8ns
2mm直徑光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜8ns，to5封裝
更新時(shí)間:2025-06-10
硅Si放大型光電探測(cè)器 320-1100nm DC-200kHz
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長(zhǎng)320-1100nm 峰值響應(yīng)0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時(shí)間:2025-06-10
硅Si光電平衡探測(cè)器 400-1100nm 100MHz 響應(yīng)度0.55@850nm
工作波長(zhǎng)400~1100nm 帶寬100mhz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm
更新時(shí)間:2025-06-10
砷化銦InAs光伏探測(cè)器 峰值波長(zhǎng)3.35μm 光靈敏度1.0A/W
峰值波長(zhǎng)λp：3.35μm 截止波長(zhǎng)λc：3.65μm 光靈敏度：1.0a/w 峰值探測(cè)率d*：4.5 × 109（cm·hz1/2/w） nep：1.5 × 10-11（w/hz1/2） to-5封裝
更新時(shí)間:2025-06-10
2-5.5μm 紅外兩TE冷卻InAs光浸式光伏探測(cè)器
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 2-5.5μm；峰值波長(zhǎng) 2.9μm；相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時(shí)間:2025-06-10
Ge鍺光電二管探測(cè)器 800-1800nm 響應(yīng)度0.95A/W
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 800-1800nm；響應(yīng)度 0.95 a/w；有效面積 10 mm x 10 mm；材料 ge
更新時(shí)間:2025-06-10
銦鎵砷 InGaAs 光電探測(cè)器 帶寬>2GHz 有效面積直徑100um
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ｇｈｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：bnc
更新時(shí)間:2025-06-10
銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >10GHz 輸出連接SMA
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：0.9ａ／ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ｇｈｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接,fc/upc
更新時(shí)間:2025-06-10
EOT銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >22GHz FC/UPC SMF28e
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應(yīng)度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc、smf28e
更新時(shí)間:2025-06-10
銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >22GHz 輸出連接SMA
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應(yīng)度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 不適用
更新時(shí)間:2025-06-10
銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >15GHz FC/UPC SMF28e
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ｇｈｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc,smf28e
更新時(shí)間:2025-06-10
中紅外量子聯(lián)超快光電探測(cè)器 20GHz 4.65μm
響應(yīng)超過20ghz的超快中紅外光電探測(cè)器 頻率響應(yīng)范圍 (-3 db): 直流到 20 ghz 敏感波長(zhǎng)峰值: 4.65 μm 光敏性: 1 ma/w (典型值) 無需冷卻，無需偏置操作
更新時(shí)間:2025-06-10
四象限捕獲光電探測(cè)接收模塊 1000-1650nm 功率-30dBm
工作波長(zhǎng)范圍 1000-1650nm；電壓響應(yīng)度 2 mv/w；-3db帶寬 2mhz；飽和輸入光功率 -30dbm
更新時(shí)間:2025-06-10
中紅外MCT兩TE冷卻光電探測(cè)器 2-12μm
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 2-12μm；佳波長(zhǎng) 3μm；相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm；光敏面 0.1×0.1mm^2；抗反射涂層窗口
更新時(shí)間:2025-06-10
銦鎵砷InGaAs放大型光電探測(cè)器 800-1700nm 5MHz
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面直徑@2mm 波長(zhǎng)800-1700nm (可擴(kuò)展到2600nm,5mhz) 峰值響應(yīng)0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 飽和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 帶寬 dc •-5mhz
更新時(shí)間:2025-06-10
銦鎵砷InGaAs雪崩光電探測(cè)器 800~1700nm 350MHz
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2025-06-10
銦鎵砷InGaAs雪崩光電探測(cè)器 800~1700nm 350MHz
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2025-06-10
InGaAs 雪崩單元探測(cè)器 APD-1G-A
ingaas 雪崩單元探測(cè)器 apd-1g-a雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲apd探測(cè)器、低噪聲寬帶 跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、apd溫度補(bǔ)償；
更新時(shí)間:2025-06-10
銦鎵砷InGaAs蝶形封裝低噪聲光電平衡探測(cè)器 1100-1700nm
波長(zhǎng): 1100~1700nm,帶寬:200 mhz,探測(cè)器響應(yīng)度 0.95@1550nm aw
更新時(shí)間:2025-06-10
InGaAs增益可調(diào)平衡探測(cè)器 800-1700nm 帶寬DC-100M
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30；接頭 fc/apc
更新時(shí)間:2025-06-10
集成InGaAs光電平衡探測(cè)器 光纖耦合器800-1700nm
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30mm
更新時(shí)間:2025-06-10
銦鎵砷 InGaAs 直流耦合低噪聲光電探測(cè)器 200MHz
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 帶寬:200 mhz 直流耦合 2個(gè)顯示器輸出(未校準(zhǔn)) 波長(zhǎng)范圍:1000nm至1700nm 光纖耦合:光纖通道接收器 輸出: 50 ω sma插頭 寬范圍單電源:11至15 v
更新時(shí)間:2025-06-10
微弱光相干接收模塊 集成光電平衡探測(cè)器 1530nm-1565nm
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1530nm-1565nm；帶寬 dc-50m；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-06-10
銦鎵砷InGaAs高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊
工作波長(zhǎng) 1550nm；光敏面直徑 800um；電壓響應(yīng)度 5 mv/w； 象限間隔 50um；光敏材料 ingaas
更新時(shí)間:2025-06-10
2mm 擴(kuò)展型大光敏面InGaAS光電探測(cè)器模塊 1000-2600nm
光譜響應(yīng)范圍 1000-2600nm；光敏面直徑 2mm；響應(yīng)度 75% @1550nm,100@@2000nm；ingaas銦鎵砷探測(cè)器模塊；工作帶寬 50mhz
更新時(shí)間:2025-06-10
InGaAs光電平衡探測(cè)器 800-1700nm 響應(yīng)度0.95@1550nm
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-350m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時(shí)間:2025-06-10
InGaAs單光子陣列探測(cè)器組件 950-1650nm
器件類型 ingaas apd；工作波長(zhǎng) 950～1650nm；陣列規(guī)模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測(cè)效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時(shí)間:2025-06-10
InGaAs平衡探測(cè)器 1510-1590nm 帶寬DC-100M
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-06-10
2mm大光敏面InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 450-2700nm
光譜響應(yīng)范圍 450-2700nm，光敏面直徑 2mm，響應(yīng)度 1.0a/w @2.2um，ingaas銦鎵砷探測(cè)器，封裝規(guī)格 to-5
更新時(shí)間:2025-06-10
光纖耦合型/插拔式擴(kuò)展型InGaAs探測(cè)器
光纖耦合型/插拔式擴(kuò)展型ingaas探測(cè)器
更新時(shí)間:2025-06-10
平衡探測(cè)器 1064 nm/1550nm
該bd系統(tǒng)配備了電子混合路徑，用于控制信號(hào)的解調(diào)和誤差信號(hào)的生成，以鎖定壓縮真空態(tài)和bd本地振蕩器的相對(duì)相位。通過這種方式，能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間測(cè)量并穩(wěn)定控制壓縮量子噪聲。調(diào)制/解調(diào)頻率通常設(shè)定在1 mhz到80 mhz之間，具體根據(jù)客戶需求。
更新時(shí)間:2025-06-10

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熱門儀器： 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計(jì) 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗(yàn)機(jī) 酸度計(jì)（PH計(jì)） 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑
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